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1、振蕩余量

2、激勵(lì)功率

3、振蕩頻率相對(duì)偏差

振蕩余量是一個(gè)倍數(shù)，它等于晶體諧振器的負(fù)阻除以晶體諧振器的等效串聯(lián)電阻。理論上，振蕩余量有1倍以上就可以起振，但是當(dāng)振蕩余量接近1倍時(shí)，偶爾可能發(fā)生不振蕩的情況。

為了穩(wěn)定起振，一般要求振蕩余量大于5倍。

負(fù)阻可以看成是放大器放大信號(hào)的放大能力，負(fù)阻的大小需要在實(shí)際電路中測(cè)量得到。負(fù)性阻抗不是晶振的內(nèi)置參數(shù)，而是振蕩電路的一項(xiàng)重要參數(shù)。

而等效串聯(lián)電阻ESRspec會(huì)消耗能量，可以理解為阻礙信號(hào)放大的阻力。ESRspc一般在晶振規(guī)格書(shū)手冊(cè)中有標(biāo)注大小。

測(cè)量負(fù)阻方法：

 將電阻Rs串聯(lián)到晶體諧振器上面，逐步增大這個(gè)電阻，直到晶振還可以振蕩的極限為止，此時(shí)的阻值大小為Rsmax。 根據(jù)晶振手冊(cè)中的參數(shù)計(jì)算Re，Re≈ESR*(1+C0/Cs)^2。其中ESR為諧振器的等效串聯(lián)電阻，C0為晶體諧振器的shunt capacitance，Cs為晶振的負(fù)載電容，這三個(gè)參數(shù)一般都在晶體諧振器規(guī)格書(shū)手冊(cè)中有標(biāo)注。  
激勵(lì)功率的測(cè)量：

激勵(lì)功率指的是晶體諧振器的功耗。晶振廠家一般都會(huì)在產(chǎn)品手冊(cè)中標(biāo)注這個(gè)參數(shù)DL，如果實(shí)際電路中，晶振的實(shí)際功耗大于手冊(cè)中標(biāo)準(zhǔn)的DL，那么就過(guò)驅(qū)動(dòng)了，存在風(fēng)險(xiǎn)，可能會(huì)引起頻率和等效串聯(lián)電阻的意外變化。

測(cè)量方法：

 使用電流探頭，并使用示波器或頻譜分析儀等儀器，測(cè)量數(shù)據(jù)來(lái)計(jì)算上圖中a點(diǎn)的電流值。

1, 接入電流探頭
 


2,讀取頻譜儀中的功耗，然后計(jì)算電流值  
 

3,計(jì)算  

 

振蕩頻率的測(cè)量方法：

振蕩頻率是指晶振在電路中實(shí)際工作的頻率，決定振蕩頻率的主要因素是晶振的特性，但是，實(shí)際的振蕩頻率也受下面因素的影響。

1、芯片的特性

2、外部匹配電容的容量 

3、PCB的雜散電容

面臨的一個(gè)比較大的問(wèn)題就是：如果用探頭直接接觸振蕩電路進(jìn)行測(cè)量，是無(wú)法精確測(cè)量頻率的，因?yàn)闀?huì)引入電容，所以，一定要通過(guò)非接觸式的方式來(lái)進(jìn)行測(cè)量。

測(cè)量?jī)x器：

1、頻譜分析儀

2、頻率計(jì)數(shù)器

用頻譜分析儀時(shí)，使用非接觸式的天線來(lái)接收信號(hào)，讀取頻譜分析儀顯示的峰值處的頻率。

 

使用頻率計(jì)數(shù)器時(shí)，也需要用非接觸模式來(lái)測(cè)量，但是通常需要增幅信號(hào)到計(jì)數(shù)器能讀取的水平，所以需要預(yù)備放大電路。
 

所以實(shí)際在PCB上測(cè)量頻率的時(shí)候，即使使用同一個(gè)晶振，也可能跟晶振廠家的PCB上測(cè)量的頻率不一樣，這個(gè)偏差就是振蕩頻率相對(duì)偏差（并非相對(duì)晶振標(biāo)稱值頻率的頻偏）。

如果在頻率偏差較大的狀態(tài)下使用，有可能使得實(shí)際的振蕩頻率超出可以容納的范圍，進(jìn)而導(dǎo)致產(chǎn)品工作有問(wèn)題。

 

如果需要較高的頻率精度，就需要格外注意頻率偏差！必須把這個(gè)相對(duì)偏差加上諧振器的規(guī)格偏差（產(chǎn)品規(guī)格書(shū)手冊(cè)中的頻偏），來(lái)判斷是否能把頻率調(diào)整在希望的范圍內(nèi)。自然是要調(diào)整電路，能調(diào)整的器件不多，

主要是2個(gè)：

1、首先通過(guò)調(diào)整負(fù)載電容C1/C2（匹配電容）來(lái)調(diào)整振蕩頻率到合適值

2、再通過(guò)調(diào)整Rd來(lái)將振蕩余量和激勵(lì)功率調(diào)到合適的值。